金剛石熱控制提高InAlGaN晶體管輸出功率
摘要：日本富士通研究所近期報道了在金剛石熱控制的基礎(chǔ)上,適用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高電子遷移率晶體管(HEMT)[Toshihiro Ohki et al,IEEE Electron Device Letters,published online 5December 2018]。其中熱管理是實現(xiàn)更高功率密度的關(guān)鍵步驟。金剛石是一種具有非常高導(dǎo)熱性的材料。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社。
半導(dǎo)體信息雜志
半導(dǎo)體信息雜志， 雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：企業(yè)指南、國內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場動態(tài)等。于1990年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
- 部級期刊
- 1個月內(nèi)審核