摘要：熱退火不但可以減少GaN陰極樣品中的各種缺陷和寄生電容,改善材料的結(jié)晶屬性,而且可以改善樣品的表面質(zhì)量,對提高樣品的光譜響應是一種有力的手段。對GaN陰極樣品進行了不同溫度、不同時間的退火處理,使樣品的性能得到了改善,最優(yōu)條件下樣品的暗電流為200pA,電阻率為1.6Ω·cm,最大光譜響應為0.19A/W。依據(jù)光譜響應作為評估標準,可以得出,采用700℃熱退火10min制備出的陰極具有更高的光電發(fā)射性能,從而實現(xiàn)了GaN光電陰極的優(yōu)化制備工藝。