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有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦太陽能電池材料的電子輻照降解機(jī)制研究與電子顯微成像條件探索

作者:陳朕欣; 柯小行; 朱陸軍; 朱城; 陳棋; 隋曼齡 北京工業(yè)大學(xué)固體微結(jié)構(gòu)與性能研究所; 北京100124; 北京理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 北京100871

摘要:有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦材料由于其優(yōu)異的光電性能及其在光伏器件中巨大的應(yīng)用前景,在近年來引起廣泛的關(guān)注并得到迅速的發(fā)展。有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦材料作為太陽能電池器件中的吸光層,其性能與其微結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。然而由于其有機(jī)無機(jī)雜化的性質(zhì),通過電子顯微鏡研究其結(jié)構(gòu)與微結(jié)構(gòu)時,極易受到電子束輻照損傷而降解,而其降解機(jī)制尚不明確。本文以典型的有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦材料MAPbI3為研究對象,分別在SEM和TEM中通過改變電子束的加速電壓與輻照劑量,研究其形貌變化、結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變及微結(jié)構(gòu)演變,分析不同電壓下的降解機(jī)制,并探索出低損的成像條件。結(jié)果表明,MAPbI3在SEM的低電壓作用下,極易在晶界處產(chǎn)生缺陷并導(dǎo)致薄膜開裂;而在TEM中,60kV加速電壓對MAPbI3的輻照損傷以電離損傷引起的局部加熱為主,并導(dǎo)致相變,而300kV加速電壓導(dǎo)致MAPbI3降解為PbI2是較高電壓下主要的輻照損傷機(jī)制.

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