陰陽極間距對碳納米管薄膜強(qiáng)流脈沖發(fā)射的影響
作者：麻華麗; 付林杰; 曾凡光; 夏連勝; 諶怡; 張?bào)?/span> 鄭州航空工業(yè)管理學(xué)院理學(xué)院; 中國工程物理研究院流體物理研究所
摘要：采用酞菁鐵高溫裂解法在鍍有鎳金緩沖層的硅基底上生長了碳納米管薄膜(CNTs),并采用二極結(jié)構(gòu)在單脈沖模式下研究了其強(qiáng)流脈沖發(fā)射特性。結(jié)果表明:在脈沖電場峰值相同的條件下(~12.1V/μm),陰陽極間距越小,冷陰極的發(fā)射電流越大,且冷陰極的開啟場強(qiáng)越小;當(dāng)陰陽極間距為14cm時(shí),CNTs薄膜的強(qiáng)流脈沖發(fā)射電流峰值為312A(電流密度為15.9A/cm~2),對應(yīng)的開啟場強(qiáng)為4.3 V/μm;當(dāng)陰陽極間距為12.8cm時(shí),CNTs薄膜的強(qiáng)流脈沖發(fā)射電流峰值為747.2A(電流密度為38.OA/cm~2),對應(yīng)的開啟場強(qiáng)為4.0 V/μm。
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