摘要：隨著網(wǎng)絡(luò)傳輸數(shù)據(jù)流量的爆炸性增長(zhǎng),傳統(tǒng)電交換由于其有限的帶寬和高功耗將很難滿足網(wǎng)絡(luò)帶寬發(fā)展需求。光交換能直接在光域上完成光信道間信息的交換,具有高速、寬帶、透明、低功耗以及潛在的低成本等諸多優(yōu)點(diǎn),能滿足下一代全光交換網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算機(jī)光互連網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的迫切需求。文章介紹了集成光開(kāi)關(guān)的發(fā)展現(xiàn)狀及核心技術(shù),包括采用氧化硅、III-V族半導(dǎo)體材料和硅材料來(lái)制作光開(kāi)關(guān)的進(jìn)展以及各種技術(shù)的特點(diǎn)。其中硅基集成光開(kāi)關(guān)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功耗小、成本低以及與互補(bǔ)型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(CMOS)工藝兼容的優(yōu)勢(shì),適合大規(guī)模光開(kāi)關(guān)制作和量產(chǎn),具有潛在的巨大市場(chǎng)商用價(jià)值。文章重點(diǎn)介紹了實(shí)現(xiàn)硅基光開(kāi)關(guān)的核心單元器件以及幾種代表性光開(kāi)關(guān)陣列,并對(duì)光開(kāi)關(guān)狀態(tài)監(jiān)控和調(diào)節(jié)以及光電封裝做了闡述。