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智能卡芯片中ESD的設(shè)計

作者：馬和良 聚辰半導(dǎo)體股份有限公司; 上海200120

摘要：在智能卡的設(shè)計中,集成電路器件特征尺寸變得越來越小。目前主流的工藝是130 nm和90 nm,所面臨的靜電放電(ESD,Electro Static Discharge)挑戰(zhàn)也越來越嚴(yán)峻?；贓SD研究背景,ESD故障機制和放電模型,ESD器件保護以及器件在布局上的ESD性能,對設(shè)計的ESD器件進行TLP實測,得出的結(jié)論在芯片的ESD設(shè)計中具有重要的參考意義。

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集成電路應(yīng)用

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