摘要：ITO薄膜是一類被廣泛應(yīng)用的透明導(dǎo)電氧化物薄膜材料,也是稀磁半導(dǎo)體材料的候選之一。用MEVVA源在ITO薄膜中注入Fe離子,樣品經(jīng)快速熱退火處理后,GAXRD分析注入的Fe離子摻入進(jìn)了ITO晶格中,樣品中沒有發(fā)現(xiàn)Fe納米團(tuán)簇及氧化物等雜質(zhì)相,但由于離子轟擊,樣品的結(jié)晶性變差,光透射率降低;Fe離子注入后,隨著氧空位濃度降低,以及雜質(zhì)散射增強(qiáng),樣品的電學(xué)性能降低,但由于Fe離子間通過氧空位形成了Fe-VO-Fe鐵磁耦合對(duì),促進(jìn)了樣品室溫鐵磁性的增強(qiáng)。