自發(fā)Raman散射過程中寫激發(fā)率對光與原子糾纏源質量的影響
作者：張浩毅; 溫亞飛; 周湃; 袁亮; 徐忠孝; 李淑靜; 王海 山西大學光電研究所量子光學與光量子器件國家重點實驗室; 山西太原030006; 山西大學極端光學協(xié)同創(chuàng)新中心; 山西太原030006
摘要：在87Rb冷原子系綜中，利用自發(fā)Raman散射過程，實現(xiàn)了光與原子的糾纏。測量了Bell參數(shù)S隨著寫激發(fā)率的變化關系，當寫激發(fā)率增加時，Bell參數(shù)s逐漸下降。當寫激發(fā)率約為1％時，測量了Bell參數(shù)S與自旋波存儲時間的關系。實驗測得Bell參數(shù)S會隨著存儲時間t的增大而減小，在t=80μs的時候S參數(shù)的測量值仍然大于2，證明產生的光與原子的糾纏可以保持80μs以上。本文的研究結果為產生高質量的光與原子量子糾纏提供了實驗基礎。
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