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純鈦TA2表面陽(yáng)極氧化法制備太陽(yáng)能吸收涂層

作者:李雪健; 姚忠平; 魏晗; 夏琦興; 王建康; 李東琦; 姜兆華 哈爾濱工業(yè)大學(xué)化工與化學(xué)學(xué)院; 哈爾濱150001

摘要:以TA2為基體,利用陽(yáng)極氧化法在硫酸溶液中制備太陽(yáng)能吸收涂層,研究反應(yīng)電壓和反應(yīng)時(shí)間對(duì)膜層組成結(jié)構(gòu)及性能的影響。結(jié)果表明,陽(yáng)極氧化膜層晶相組成主要為銳鈦礦型TiO2,當(dāng)氧化電壓為140 V,氧化時(shí)間為10 min時(shí),膜層性能最佳,此時(shí)膜層吸收率α為0.759,發(fā)射率ε為0.19。膜層的微孔數(shù)量及孔徑隨電壓的增長(zhǎng)而逐漸增加,而隨時(shí)間的延長(zhǎng)而逐漸減小。膜層的太陽(yáng)吸收率和發(fā)射率均隨氧化電壓的增長(zhǎng)而增加,而在隨時(shí)間延長(zhǎng)上沒(méi)有明顯變化。

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