不同載流子輸運模型對GaN IMPATT二極管直流特性的影響研究
作者：李秀圣 濰坊學(xué)院; 山東濰坊261061
摘要：本文利用氮化鎵半導(dǎo)體,設(shè)計了傳統(tǒng)的高-低結(jié)構(gòu)的碰撞電離雪崩渡越時間(IMPATT)二極管,并利用漂移-擴散輸運模型和流體動力學(xué)輸運模型,在Sentaurus模擬器中對器件的直流特性進(jìn)行了模擬研究。通過對比研究,發(fā)現(xiàn)漂移-擴散模型過高估計了器件內(nèi)部載流子的碰撞電離率,而流體動力學(xué)模型更能精確的揭示器件內(nèi)部載流子的電離過程。
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