氫離子輻照對AL-6XN不銹鋼微觀結(jié)構(gòu)的影響
作者：鄭中成; 郭立平; 張偉平; 羅鳳鳳; 任遙遙; 李巖; 喬巖欣; 唐睿 武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院; 湖北武漢430072; 蘇州熱工研究院有限公司電站壽命管理中心; 江蘇蘇州215004; 中國核動力研究設(shè)計院核反應(yīng)堆系統(tǒng)設(shè)計技術(shù)重點實驗室; 四川成都610041
摘要：奧氏體不銹鋼是超臨界水冷堆的堆內(nèi)構(gòu)件的候選材料之一,本文實驗以奧氏體不銹鋼AL-6XN為對象,研究了氫離子輻照對奧氏體鋼微觀結(jié)構(gòu)的影響.在290℃和380℃下用100keV的H＋2輻照,輻照劑量分別為0.5dpa和1.0dpa（displacement per atom）.在290℃下,隨輻照劑量增加,位錯環(huán)平均直徑從3.8nm增加到5.6nm,數(shù)密度略有下降.在380℃下輻照,產(chǎn)生了大尺寸位錯環(huán),隨著劑量增加,位錯環(huán)平均直徑和數(shù)密度顯著增加.實驗結(jié)果表明,氫離子輻照AL-6XN不銹鋼產(chǎn)生的缺陷主要是位錯環(huán),隨輻照劑量增加,產(chǎn)生的位錯環(huán)尺寸增大,提高輻照溫度有利于位錯環(huán)的遷移和聚集長大.
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