陽極氧化制備硅基TiO2納米管陣列及形貌表征
作者：李堅; 郭麗芳; 李廷魚; 段淑斐; 李剛 太原理工大學(xué)信息與計算機學(xué)院微納系統(tǒng)研究中心; 太原030024
摘要：TiO2納米管因其具有獨特的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢和優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),受到了廣泛的關(guān)注與研究。然而,TiO2納米管陣列(NTA)的制備主要以鈦片為基底,很難與硅的微加工工藝相兼容,制約了其在微型電子設(shè)備中的應(yīng)用。為將TiO2納米管陣列與硅襯底結(jié)合,首先以磁控濺射方法在硅基底上沉積一層金屬鈦薄膜,通過陽極氧化法制備硅基TiO2納米管陣列。采用掃描電子顯微鏡(SEM)分別探究了陽極氧化過程中外加電壓、電解液組成、陽極氧化時間對納米管形貌的影響,并得到了優(yōu)化的實驗參數(shù)。實驗發(fā)現(xiàn):50 V恒壓條件下,在含有質(zhì)量分數(shù)0.5%氟化銨的乙二醇電解液中對金屬鈦薄膜進行陽極氧化,成功制備出直徑約110 nm、高2.00μm的TiO2納米管陣列。高比表面積的TiO2納米管可根據(jù)需要負載不同的物質(zhì)材料,應(yīng)用于傳感器、藥物傳輸、超級電容器等領(lǐng)域,極大拓展了其在微電子器件方面的應(yīng)用。
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微納電子技術(shù)雜志
微納電子技術(shù)雜志， 月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：技術(shù)論壇、材料與結(jié)構(gòu)、MEMS與傳感器、加工、測量與設(shè)備等。于1964年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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