摘要：TiO2納米管因其具有獨特的結構優(yōu)勢和優(yōu)異的物理化學性質,受到了廣泛的關注與研究。然而,TiO2納米管陣列(NTA)的制備主要以鈦片為基底,很難與硅的微加工工藝相兼容,制約了其在微型電子設備中的應用。為將TiO2納米管陣列與硅襯底結合,首先以磁控濺射方法在硅基底上沉積一層金屬鈦薄膜,通過陽極氧化法制備硅基TiO2納米管陣列。采用掃描電子顯微鏡(SEM)分別探究了陽極氧化過程中外加電壓、電解液組成、陽極氧化時間對納米管形貌的影響,并得到了優(yōu)化的實驗參數(shù)。實驗發(fā)現(xiàn):50 V恒壓條件下,在含有質量分數(shù)0.5%氟化銨的乙二醇電解液中對金屬鈦薄膜進行陽極氧化,成功制備出直徑約110 nm、高2.00μm的TiO2納米管陣列。高比表面積的TiO2納米管可根據(jù)需要負載不同的物質材料,應用于傳感器、藥物傳輸、超級電容器等領域,極大拓展了其在微電子器件方面的應用。