摘要：以CMOS存儲單元為研究對象，介紹了仿真在CMOS抗輻射加固集成電路單粒子效應機理及電路抗單粒子加固設計方面的研究進展，討論了特征尺寸的縮小對單粒子輻射效應的影響，提出了利用交叉隔離和錯誤猝熄的方法改進傳統(tǒng)存儲單元的加固性能，并通過試驗驗證了該方法的有效性。