IGZO-TFT鈍化層三元復(fù)合結(jié)構(gòu)過孔刻蝕
作者：田茂坤; 董曉楠; 黃中浩; 王駿; 王思江; 趙永亮; 閔泰燁; 袁劍峰; 孫耒來; 諶偉; 王愷; 吳旭 重慶京東方光電科技有限公司; 重慶400700
摘要：IGZO-TFT鈍化層設(shè)計三元復(fù)合過孔結(jié)構(gòu),出現(xiàn)了20%過孔相關(guān)不良。本文以CF4/O2為反應(yīng)氣體,采用控制變量法,從功率、氣體成分和比例、壓力等方面對氧化物TFT鈍化層的電感耦合等離子體刻蝕機理進行研究。當(dāng)鈍化層為SiO2或SiNx單組分時,氧氣可以促進刻蝕反應(yīng);隨著CF4/O2比例增加,刻蝕速率先增大后趨于穩(wěn)定,并且當(dāng)CF4/O2=15/8時,刻蝕速率和均一性達到最優(yōu);與源功率相比,提高偏壓功率在提升刻蝕速率中起主導(dǎo)作用,同時均一性控制在15%以內(nèi);當(dāng)壓力在4Pa以內(nèi)時,刻蝕速率隨著壓力的降低而增加。據(jù)此分析,對復(fù)合結(jié)構(gòu)SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蝕過程進行優(yōu)化,得到了形貌規(guī)整、無殘留物的過孔,過孔相關(guān)不良得到100%改善。
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液晶與顯示雜志， 月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：材料物理、器件物理及器件制備、顯示技術(shù)與應(yīng)用、圖像處理等。于1986年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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