《Solid-state Electronics》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 11:05:24 398人看過
《Solid-state Electronics》雜志收稿范圍涵蓋物理與天體物理全領(lǐng)域，此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯(cuò)的SCI期刊，在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大，專業(yè)度認(rèn)可很高，所以對原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質(zhì)量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 一般,3-6周 約9.2周，影響因子指數(shù)1.4。
該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團(tuán)隊(duì)會(huì)及時(shí)為您答疑解惑，提供針對性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式：PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開放 | 87 | 175 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 18.40% | 1.4 | 0.08... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 99.43% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計(jì)
2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| South Korea | 131 |
| CHINA MAINLAND | 104 |
| France | 76 |
| USA | 53 |
| GERMANY (FED REP GER) | 36 |
| India | 24 |
| Spain | 21 |
| England | 17 |
| Belgium | 16 |
| Japan | 16 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 55 |
| COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE A... | 38 |
| UNIVERSITE DE SAVOIE | 33 |
| CEA | 32 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 26 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 23 |
| KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY | 17 |
| STMICROELECTRONICS | 16 |
| POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & T... | 12 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 11 |
近年引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 431 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 257 |
| APPL PHYS LETT | 248 |
| SOLID STATE ELECTRON | 207 |
| J APPL PHYS | 136 |
| PHYS REV B | 106 |
| NATURE | 58 |
| SEMICOND SCI TECH | 52 |
| PHYS REV LETT | 47 |
| THIN SOLID FILMS | 43 |
近年被引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 384 |
| SOLID STATE ELECTRON | 207 |
| J APPL PHYS | 199 |
| JPN J APPL PHYS | 150 |
| SEMICOND SCI TECH | 123 |
| J MATER SCI-MATER EL | 111 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 105 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 96 |
| APPL PHYS LETT | 93 |
| MATER RES EXPRESS | 84 |
近年文章引用統(tǒng)計(jì)：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| Lightweight flexible indium-free... | 21 |
| The photovoltaic impact of atomi... | 12 |
| Current-voltage analytical model... | 11 |
| Low-voltage electric-double-laye... | 11 |
| Effect of defect creation and mi... | 11 |
| Characterization and modeling of... | 10 |
| Improve the performance of CZTSS... | 10 |
| A review on terahertz photogalva... | 8 |
| Multi-layer WSe2 field effect tr... | 8 |
| SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibe... | 7 |
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