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《Circuit World》雜志的收稿范圍和要求是什么?

來源:優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:48:32 295人看過

《Circuit World》雜志收稿范圍涵蓋工程技術(shù)全領(lǐng)域,此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯的SCI期刊,在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大,專業(yè)度認(rèn)可很高,所以對原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高,如果您的文章質(zhì)量很高,可以嘗試。

平均審稿速度 12周,或約稿 ,影響因子指數(shù)0.8。

該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單,廣大學(xué)者值得一試。

具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服,在線客服團(tuán)隊會及時為您答疑解惑,提供針對性的建議和解決方案。

出版商聯(lián)系方式:EMERALD GROUP PUBLISHING LIMITED, HOWARD HOUSE, WAGON LANE, BINGLEY, ENGLAND, W YORKSHIRE, BD16 1WA

其他數(shù)據(jù)

是否OA開放訪問: h-index: 年文章數(shù):
未開放 19 10
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來源于搜索引擎): 開源占比(OA被引用占比):
0.00% 0.8 0.00...
研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) 期刊收錄: 中科院《國際期刊預(yù)警名單(試行)》名單:
100.00% SCIE

歷年IF值(影響因子):

歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量:

歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù):

歷年自引數(shù)據(jù):

發(fā)文統(tǒng)計

2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計:

國家/地區(qū) 數(shù)量
India 58
CHINA MAINLAND 40
Poland 15
Iran 14
Malaysia 4
Czech Republic 3
Hungary 3
Iraq 2
Saudi Arabia 2
Slovakia 2

2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計:

機(jī)構(gòu) 數(shù)量
SSN COLLEGE OF ENGINEERING 12
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY... 10
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY 8
WARSAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 6
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... 5
WROCLAW UNIVERSITY OF SCIENCE & ... 5
ANNA UNIVERSITY 4
CHANGZHOU UNIVERSITY 4
CHAROTAR UNIVERSITY OF SCIENCE &... 3
CZECH TECHNICAL UNIVERSITY PRAGU... 3

近年引用統(tǒng)計:

期刊名稱 數(shù)量
CIRCUIT WORLD 32
IEEE J SOLID-ST CIRC 19
IEEE T POWER ELECTR 18
IEEE ANTENN WIREL PR 17
INT J BIFURCAT CHAOS 17
J ELECTROCHEM SOC 17
NONLINEAR DYNAM 15
ELECTRON LETT 14
IEEE T IND ELECTRON 14
SOLDER SURF MT TECH 14

近年被引用統(tǒng)計:

期刊名稱 數(shù)量
CIRCUIT WORLD 32
INT J ADV MANUF TECH 13
MATER RES EXPRESS 8
J ADHES SCI TECHNOL 7
J ELECTROCHEM SOC 6
J MATER SCI-MATER EL 6
IEEE T COMP PACK MAN 5
INT J ELECTROCHEM SC 4
J MATER CHEM C 4
MATERIALS 4

近年文章引用統(tǒng)計:

文章名稱 數(shù)量
Solder joint quality evaluation ... 7
Initial conditions-related dynam... 5
Novel implementation of IoT base... 5
Synchronization, anti-synchroniz... 5
Chaos in a second-order non-auto... 4
ISFET structures with chemically... 3
Characterization of a novel 10T ... 3
Design and analysis of cantileve... 3
Fractal-based triangular bandpas... 2
A low-PDAP and high-PSNR approxi... 2

聲明:以上內(nèi)容來源于互聯(lián)網(wǎng)公開資料,如有不準(zhǔn)確之處,請聯(lián)系我們進(jìn)行修改。

12周,或約稿 審核
期刊收錄: SCIE

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