《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來(lái)源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:50:45 572人看過
《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志收稿范圍涵蓋工程技術(shù)全領(lǐng)域，此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯(cuò)的SCI期刊，在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大，專業(yè)度認(rèn)可很高，所以對(duì)原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質(zhì)量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 約4.7個(gè)月 ，影響因子指數(shù)2.9。
該期刊近期沒有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團(tuán)隊(duì)會(huì)及時(shí)為您答疑解惑，提供針對(duì)性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開放 | 165 | 1084 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 6.38% | 2.9 | 0.06... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 100.00% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計(jì)
2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| CHINA MAINLAND | 741 |
| USA | 455 |
| India | 399 |
| Taiwan | 232 |
| South Korea | 181 |
| GERMANY (FED REP GER) | 149 |
| Japan | 123 |
| Italy | 111 |
| France | 110 |
| England | 100 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 239 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... | 123 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 92 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 81 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 76 |
| IMEC | 74 |
| PEKING UNIVERSITY | 66 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 58 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 57 |
| NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY | 50 |
近年引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1587 |
| APPL PHYS LETT | 1366 |
| J APPL PHYS | 866 |
| SOLID STATE ELECTRON | 384 |
| PHYS REV B | 305 |
| ADV MATER | 238 |
| MICROELECTRON RELIAB | 235 |
| NANO LETT | 209 |
| ACS APPL MATER INTER | 195 |
近年被引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 865 |
| JPN J APPL PHYS | 565 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 499 |
| SOLID STATE ELECTRON | 431 |
| IEEE ACCESS | 422 |
| SEMICOND SCI TECH | 412 |
| J APPL PHYS | 400 |
| APPL PHYS LETT | 388 |
| J COMPUT ELECTRON | 284 |
近年文章引用統(tǒng)計(jì)：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| Fully Inkjet-Printed Photodetect... | 42 |
| Effects of Postannealing on the ... | 37 |
| Critical Role of Interlayer in H... | 28 |
| Demonstration of Constant 8 W/mm... | 27 |
| Ferroelectric FETs With 20-nm-Th... | 22 |
| 2-D Layered Materials for Next-G... | 20 |
| High Endurance Ferroelectric Haf... | 20 |
| BTI Analysis Tool-Modeling of NB... | 20 |
| Improved Switching Stability and... | 18 |
| Design and Investigation of Char... | 17 |
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