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《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志好發(fā)表嗎?

來源:優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:50:45 572人看過

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志是一本專注于工程技術(shù)領(lǐng)域的期刊,發(fā)表難度因多種因素而異,以下是具體分析:

《IEEE 電子器件學(xué)報(bào)》發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻(xiàn),涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空器件和新興材料,應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電、成像、微致動(dòng)器、納米電子學(xué)、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發(fā)表了關(guān)于這些主題的教程和評論論文,偶爾還會出版專刊,介紹一系列更深入、更廣泛地討論特定領(lǐng)域的論文。

發(fā)表難度

影響因子與分區(qū):《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志的影響因子為2.9,屬于JCR分區(qū)Q2區(qū),中科院分區(qū)中大類學(xué)科工程技術(shù)為2區(qū), 小類學(xué)科PHYSICS, APPLIED物理:應(yīng)用為2區(qū),較高的影響因子和較好的分區(qū)表明其在學(xué)術(shù)界具有較高的影響力和認(rèn)可度,因此對稿件的質(zhì)量要求也相對較高,發(fā)表難度較大。

歷年IF值(影響因子):

WOS分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352

59.5%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179

62.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354

59.18%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179

66.2%

名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫,Web of Science包括自然科學(xué)、社會科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時(shí)會按照某一個(gè)學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。

審稿周期預(yù)計(jì):平均審稿速度 約4.7個(gè)月 ,審稿周期也體現(xiàn)了編輯部對稿件質(zhì)量的嚴(yán)格把關(guān)。

發(fā)表建議

提高稿件質(zhì)量:確保研究內(nèi)容具有創(chuàng)新性和學(xué)術(shù)價(jià)值,語言表達(dá)清晰準(zhǔn)確,符合雜志物理:應(yīng)用的格式和要求。

提前準(zhǔn)備:根據(jù)審稿周期,建議作者提前規(guī)劃好研究和寫作進(jìn)度,以便有足夠的時(shí)間進(jìn)行修改和補(bǔ)充。同時(shí),可以關(guān)注《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志的約稿信息,如果能夠獲得約稿機(jī)會,發(fā)表的可能性會更大。

聲明:以上內(nèi)容來源于互聯(lián)網(wǎng)公開資料,如有不準(zhǔn)確之處,請聯(lián)系我們進(jìn)行修改。

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