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《Materials Science In Semiconductor Processing》雜志好發(fā)表嗎?

來源:優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:49:24 934人看過

《Materials Science In Semiconductor Processing》雜志是一本專注于工程技術領域的期刊,發(fā)表難度因多種因素而異,以下是具體分析:

《半導體加工中的材料科學》為討論(光)電子、傳感器、探測器、生物技術和綠色能源的功能材料和器件的新型加工、應用和理論研究提供了一個獨特的論壇。

每期都旨在提供當前見解、新成就、突破和未來趨勢的快照,涉及微電子、能量轉(zhuǎn)換和存儲、通信、生物技術、(光)催化、納米和薄膜技術、混合和復合材料、化學加工、氣相沉積、器件制造和建模等不同領域,這些領域是先進半導體加工和應用的支柱。

內(nèi)容包括:亞微米器件的先進光刻技術;蝕刻及相關主題;離子注入;損傷演變和相關問題;等離子體和熱 CVD;快速熱處理;先進的金屬化和互連方案;薄介電層、氧化;溶膠-凝膠處理;化學浴和(電)化學沉積;復合半導體加工;新型非氧化物材料及其應用; (大)分子和混合材料;分子動力學、從頭算方法、蒙特卡羅等;分立電路和集成電路的新材料和新工藝;磁性材料和自旋電子學;異質(zhì)結(jié)構(gòu)和量子器件;半導體電學和光學特性的工程;晶體生長機制;可靠性、缺陷密度、固有雜質(zhì)和缺陷。

發(fā)表難度

影響因子與分區(qū):《Materials Science In Semiconductor Processing》雜志的影響因子為4.2,屬于JCR分區(qū)Q2區(qū),中科院分區(qū)中大類學科工程技術為3區(qū), 小類學科ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:電子與電氣為3區(qū),較高的影響因子和較好的分區(qū)表明其在學術界具有較高的影響力和認可度,因此對稿件的質(zhì)量要求也相對較高,發(fā)表難度較大。

歷年IF值(影響因子):

WOS分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 89 / 352

74.9%

學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 158 / 438

64%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 51 / 179

71.8%

學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q2 25 / 79

69%

按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 113 / 354

68.22%

學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 125 / 438

71.58%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 47 / 179

74.02%

學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q1 19 / 79

76.58%

名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學術信息的重要數(shù)據(jù)庫,Web of Science包括自然科學、社會科學、藝術與人文領域的信息,來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學術會議多學科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學科領域劃分,根據(jù)這一學科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。

審稿周期預計:平均審稿速度 約1.7個月 約3.7周,審稿周期也體現(xiàn)了編輯部對稿件質(zhì)量的嚴格把關。

發(fā)表建議

提高稿件質(zhì)量:確保研究內(nèi)容具有創(chuàng)新性和學術價值,語言表達清晰準確,符合雜志工程:電子與電氣的格式和要求。

提前準備:根據(jù)審稿周期,建議作者提前規(guī)劃好研究和寫作進度,以便有足夠的時間進行修改和補充。同時,可以關注《Materials Science In Semiconductor Processing》雜志的約稿信息,如果能夠獲得約稿機會,發(fā)表的可能性會更大。

聲明:以上內(nèi)容來源于互聯(lián)網(wǎng)公開資料,如有不準確之處,請聯(lián)系我們進行修改。

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