《Iet Circuits Devices & Systems》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來(lái)源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:58:35 372人看過(guò)
《Iet Circuits Devices & Systems》雜志收稿范圍涵蓋工程技術(shù)全領(lǐng)域，此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯(cuò)的SCI期刊，在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大，專業(yè)度認(rèn)可很高，所以對(duì)原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質(zhì)量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 較慢,6-12周 ，影響因子指數(shù)1。
該期刊近期沒(méi)有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團(tuán)隊(duì)會(huì)及時(shí)為您答疑解惑，提供針對(duì)性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式：WILEY, 111 RIVER ST, HOBOKEN, USA, NJ, 07030-5774
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開放訪問(wèn)： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 開放 | 45 | 26 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 69.13% | 1 | 0.27... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 96.15% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計(jì)
2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| India | 169 |
| CHINA MAINLAND | 68 |
| Iran | 53 |
| USA | 35 |
| Canada | 22 |
| Taiwan | 21 |
| South Korea | 17 |
| Turkey | 14 |
| Egypt | 9 |
| France | 9 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY... | 47 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 37 |
| ISLAMIC AZAD UNIVERSITY | 17 |
| JADAVPUR UNIVERSITY | 11 |
| XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY | 10 |
| SHAHID BAHONAR UNIVERSITY OF KER... | 8 |
| BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & ... | 6 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 6 |
| ANNA UNIVERSITY | 5 |
| BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 5 |
近年引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 200 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 184 |
| IEEE T CIRCUITS-I | 142 |
| IEEE T CIRCUITS-II | 98 |
| ELECTRON LETT | 92 |
| IEEE T POWER ELECTR | 83 |
| IET CIRC DEVICE SYST | 83 |
| IEEE T VLSI SYST | 82 |
| IEEE T COMPUT AID D | 53 |
| IEEE T MICROW THEORY | 52 |
近年被引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IET CIRC DEVICE SYST | 83 |
| IEEE ACCESS | 43 |
| J CIRCUIT SYST COMP | 35 |
| MICROELECTRON J | 34 |
| AEU-INT J ELECTRON C | 29 |
| ANALOG INTEGR CIRC S | 22 |
| CIRC SYST SIGNAL PR | 21 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 17 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 13 |
| IEICE ELECTRON EXPR | 11 |
近年文章引用統(tǒng)計(jì)：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| Novel CNFET ternary circuit tech... | 10 |
| Novel CMOS MO-CFDITA based fully... | 7 |
| Efficient designs of reversible ... | 7 |
| Efficient design of coplanar rip... | 7 |
| Widely tunable low-pass g(m) - C... | 6 |
| Tuning approach for first-order ... | 6 |
| Transmission gate-based 9T SRAM ... | 6 |
| Fault-tolerant delay cell for ri... | 5 |
| Light activation of noise at mic... | 5 |
| Analytical modelling and paramet... | 5 |
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