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《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志影響錄用的因素有哪些?

來源:優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:58:34 197人看過

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志是一本專注于工程技術(shù)領(lǐng)域的高質(zhì)量期刊,該雜志的錄用率受多種因素影響,想具體了解可聯(lián)系雜志社或咨詢在線客服

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志的錄用率受多種因素影響,具體如下:

年發(fā)文量:《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志年發(fā)文量為:72篇。年發(fā)文量較大的期刊,相對而言錄用率會高一些。

質(zhì)量與創(chuàng)新性:論文的科學(xué)性、嚴(yán)謹(jǐn)性、數(shù)據(jù)可靠性以及創(chuàng)新性是關(guān)鍵。

期刊分區(qū):《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志在中科院的分區(qū)為3區(qū),而在JCR的分區(qū)為Q2。

論文質(zhì)量:包括研究設(shè)計的合理性、數(shù)據(jù)的可靠性、分析方法的科學(xué)性等。

影響力與排名:《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志IF影響因子為:2.5。高影響力的期刊通常對論文質(zhì)量要求更高,錄用率相對較低。

審稿流程:嚴(yán)格的多輪審稿流程會篩選掉部分稿件,導(dǎo)致錄用率下降。

投稿數(shù)量:在特定時期內(nèi),若大量研究者集中向某期刊投稿,會導(dǎo)致稿件堆積,錄用率下降。

SCI期刊的錄用率受多重因素影響,作者應(yīng)根據(jù)自身研究特點選擇合適的期刊,并確保稿件質(zhì)量以提高錄用機(jī)會,投稿前務(wù)必仔細(xì)閱讀期刊的投稿指南,并與雜志社保持良好溝通。

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志簡介

中文簡稱:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
國際標(biāo)準(zhǔn)簡稱:IEEE T DEVICE MAT RE
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期:Quarterly
出版年份:2001年
出版地區(qū):UNITED STATES
ISSN:1530-4388
ESSN:1558-2574
研究方向:工程技術(shù) - 工程:電子與電氣

出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設(shè)備、材料、工藝、接口、集成微系統(tǒng)(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(shù)(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應(yīng)用。從概念階段到研發(fā)再到制造規(guī)模,在每個階段對這些實體的可靠性進(jìn)行測量和理解,為成功將產(chǎn)品推向市場提供了設(shè)備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數(shù)據(jù)庫。這個可靠性數(shù)據(jù)庫是滿足客戶期望的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的基礎(chǔ)。這樣開發(fā)的產(chǎn)品具有高可靠性。高質(zhì)量將實現(xiàn),因為產(chǎn)品弱點將被發(fā)現(xiàn)(根本原因分析)并在最終產(chǎn)品中設(shè)計出來。這個不斷提高可靠性和質(zhì)量的過程將產(chǎn)生卓越的產(chǎn)品。歸根結(jié)底,可靠性和質(zhì)量不是一回事;但從某種意義上說,我們可以做或必須做一切事情來保證產(chǎn)品在客戶條件下在現(xiàn)場成功運行。我們的目標(biāo)是抓住這些進(jìn)步。另一個目標(biāo)是關(guān)注電子材料和設(shè)備可靠性的最新進(jìn)展,并提供對影響可靠性的基本現(xiàn)象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學(xué)科研究的論壇??傮w目標(biāo)是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產(chǎn)品的創(chuàng)造至關(guān)重要。

在中科院分區(qū)表中,大類學(xué)科為工程技術(shù)3區(qū), 小類學(xué)科為ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:電子與電氣3區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

名詞解釋:
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個大類學(xué)科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2022年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月舊的升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月基礎(chǔ)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2020年12月舊的升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū) 4區(qū)

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