《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來(lái)源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:58:34 197人看過(guò)
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志收稿范圍涵蓋工程技術(shù)全領(lǐng)域，此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯(cuò)的SCI期刊，在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大，專(zhuān)業(yè)度認(rèn)可很高，所以對(duì)原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質(zhì)量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 較慢,6-12周 ，影響因子指數(shù)2.5。
該期刊近期沒(méi)有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團(tuán)隊(duì)會(huì)及時(shí)為您答疑解惑，提供針對(duì)性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開(kāi)放訪問(wèn)： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開(kāi)放 | 63 | 72 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎）: | 開(kāi)源占比（OA被引用占比）： |
| 24.52% | 2.5 | 0.05... |
| 研究類(lèi)文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 97.22% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類(lèi)分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計(jì)
2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| USA | 52 |
| CHINA MAINLAND | 51 |
| India | 50 |
| Taiwan | 35 |
| France | 20 |
| Italy | 18 |
| Belgium | 15 |
| Austria | 14 |
| Japan | 13 |
| GERMANY (FED REP GER) | 12 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 23 |
| IMEC | 15 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 14 |
| STMICROELECTRONICS | 10 |
| TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN | 9 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 8 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 8 |
| COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE A... | 7 |
| GLOBALFOUNDRIES | 7 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 6 |
近年引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 167 |
| IEEE T NUCL SCI | 116 |
| MICROELECTRON RELIAB | 100 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 69 |
| APPL PHYS LETT | 59 |
| J APPL PHYS | 44 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 24 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 23 |
| IEEE T POWER ELECTR | 23 |
近年被引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 127 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
| MICROELECTRON RELIAB | 88 |
| IEEE ACCESS | 47 |
| IEEE T NUCL SCI | 37 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 36 |
| IEICE ELECTRON EXPR | 35 |
| IEEE T POWER ELECTR | 31 |
| J MATER SCI-MATER EL | 31 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 30 |
近年文章引用統(tǒng)計(jì)：
| 文章名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| A First-Principles Study of the ... | 23 |
| Understanding BTI in SiC MOSFETs... | 9 |
| Comparative Thermal and Structur... | 9 |
| Output-Power Enhancement for Hot... | 8 |
| Rapid Solder Interconnect Fatigu... | 7 |
| Study of Long Term Drift of Alum... | 7 |
| Impacts of Process and Temperatu... | 6 |
| Comparative Study of Reliability... | 6 |
| A Compact and Self-Isolated Dual... | 6 |
| A Review on Hot-Carrier-Induced ... | 6 |
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