《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志目前處于幾區(qū)?
來源:優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:58:34 197人看過
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志在中科院分區(qū)中的情況如下:大類學(xué)科:工程技術(shù), 分區(qū):3區(qū); 小類學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:電子與電氣, 分區(qū):3區(qū)。
中科院分區(qū)決定了SCI期刊在學(xué)術(shù)界的地位和影響力,對科研人員和學(xué)術(shù)機構(gòu)具有重要的參考價值,具體如下:
對SCI期刊的評價:中科院分區(qū)通過將SCI期刊按照3年平均影響因子劃分為不同的等級,為科研人員和學(xué)術(shù)機構(gòu)提供了一個評估SCI期刊學(xué)術(shù)影響力的重要依據(jù)。分區(qū)越高,說明該期刊在學(xué)科內(nèi)的學(xué)術(shù)影響力越大,發(fā)表的文章質(zhì)量越高。
對科研人員的成果評估:科研人員發(fā)表的論文所在的中科院分區(qū),可以作為評估其研究成果質(zhì)量的一個指標(biāo)。
對科研資源的分配:中科院分區(qū)在科研資源分配方面也起到重要作用。科研機構(gòu)在制定科研政策、分配科研資源時,會參考中科院分區(qū)。
對科研人員投稿的指導(dǎo):中科院分區(qū)為科研人員選擇投稿期刊提供了參考??蒲腥藛T在選擇投稿期刊時,會參考中科院分區(qū),以提高論文被接受的可能性,并增加研究成果的影響力。
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志是一本專注于工程:電子與電氣領(lǐng)域的國際期刊,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.?出版,創(chuàng)刊于2001年,出版周期為Quarterly。
出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設(shè)備、材料、工藝、接口、集成微系統(tǒng)(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(shù)(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應(yīng)用。從概念階段到研發(fā)再到制造規(guī)模,在每個階段對這些實體的可靠性進行測量和理解,為成功將產(chǎn)品推向市場提供了設(shè)備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數(shù)據(jù)庫。這個可靠性數(shù)據(jù)庫是滿足客戶期望的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的基礎(chǔ)。這樣開發(fā)的產(chǎn)品具有高可靠性。高質(zhì)量將實現(xiàn),因為產(chǎn)品弱點將被發(fā)現(xiàn)(根本原因分析)并在最終產(chǎn)品中設(shè)計出來。這個不斷提高可靠性和質(zhì)量的過程將產(chǎn)生卓越的產(chǎn)品。歸根結(jié)底,可靠性和質(zhì)量不是一回事;但從某種意義上說,我們可以做或必須做一切事情來保證產(chǎn)品在客戶條件下在現(xiàn)場成功運行。我們的目標(biāo)是抓住這些進步。另一個目標(biāo)是關(guān)注電子材料和設(shè)備可靠性的最新進展,并提供對影響可靠性的基本現(xiàn)象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學(xué)科研究的論壇。總體目標(biāo)是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產(chǎn)品的創(chuàng)造至關(guān)重要。
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志學(xué)術(shù)影響力具體如下:
在學(xué)術(shù)影響力方面,IF影響因子為2.5,顯示出其在工程:電子與電氣學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)影響力和認可度。
JCR分區(qū):Q2
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū),在學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC中為Q2,排名:165 / 352,百分位:53.3%;PHYSICS, APPLIED中為Q2,排名:87 / 179,百分位:51.7%;
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū),在學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC中為Q3,排名:186 / 354,百分位:47.6%;PHYSICS, APPLIED中為Q3,排名:99 / 179,百分位:44.97%;
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志的審稿周期預(yù)計為:平均審稿速度 較慢,6-12周 ,投稿需滿足English撰寫,期刊注重原創(chuàng)性與學(xué)術(shù)嚴謹性,明確拒絕抄襲或一稿多投,Gold OA占比:24.52%,這使得更多的研究人員能夠免費獲取和引用這些高質(zhì)量的研究成果。
該雜志其他關(guān)鍵數(shù)據(jù):
CiteScore分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2024年最新版):4.8,進一步證明了其學(xué)術(shù)貢獻和影響力。
H指數(shù):63,年發(fā)文量:72篇
CiteScore分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2024年最新版)
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||
4.8 | 0.436 | 1.148 |
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名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發(fā)表文獻的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標(biāo)準化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進行衡量。
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